導致偏心半球閥密封面損壞的原因：
1、偏心半球閥安裝不正確或者維修沒做好會導致密封面工作不正常，偏心半球閥帶病運轉，過早地損壞了密封面。
2、選型不當和操縱不良所引起的損壞。主要表現在沒有按工況前提選用偏心半球閥，把偏心半球閥當V型球閥使用，導致封閉比壓過大以及封閉過快或封閉不嚴，使密封面受到沖蝕和磨損。
3、密封面加工質量不好，主要表現在密封面上有裂紋、氣孔和夾碴等缺陷，是因為堆焊和熱處理規范選用不當以及堆焊和熱處理過程中操縱不良引起的，密封面硬渡過高或過低，是因為選材分歧錯誤或熱處理不當引起的，密封面硬度不勻、不耐侵蝕，主要是因為在堆焊過程中將底層金屬吹到上面來了，沖淡了密封面合金成分所引起的。當然，這里面也存在設計的缺陷。
4、機械損傷，密封面在開閉過程中會產生擦傷、碰傷、擠傷等損壞。兩密封面之間，在高溫高壓的作用下發生原子相互滲透滲出，產生粘連現象。當兩密封面相互移動時，粘連處輕易拉撕。密封面表面粗拙度越高，這種現象越輕易發生。偏心半球閥在封閉過程中、球體在旋轉過程中會碰傷和擠傷密封面，使密封表面局部磨損或產生壓痕。
5、介質的沖蝕，它是介質活動時對密封面磨損、沖洗、汽蝕的結果。介質在合適的速度下，介質中的浮游細粒沖撞密封面，使其造成局部損壞，高速活動的介質直接沖洗密封面，使其造成局部損壞，介質混流和局部汽化時，產氣憤泡爆破沖擊密封面表面，造成局部損壞。介質的沖蝕加之化學侵蝕交替作用，會強烈的浸蝕密封面。
6、電化學侵蝕，密封面互相接觸、密封面與封閉體和閥體的接觸以及介質的濃度差、氧濃差等原因，都會產生電位差，發生電化學侵蝕，致使陽極一方的密封面被侵蝕。
7、介質的化學侵蝕，密封面附近的介質在不產生電流的情況下，介質直接與密封面起化學作用，侵蝕密封面。
